该成果介绍了一种面向大规模集成电路制造的二维材料生长方法。二维半导体是集成电路工艺发展到1 nm节点最受关注的新路径，然而其重要发展瓶颈之一在于需要提供高质量、快速生产的大规模晶圆。周鹏教授、包文中研究员团队开创性的采用了海绵缓释结构的前驱体设计和多硫源分布，实现了二维材料的准静态生长；同时通过原子层沉积生长特殊缓冲层，精确控制均匀单层成核，最终获得了大面积二维半导体均匀生长技术，对于多种二维半导体均可适用，在15分钟就可快速实现12英寸晶圆内低缺陷的二维单层全覆盖，统计结果显示了优异的器件电学均一性。这一研究成果为二维半导体提供了从实验室向产业界过渡的发展路径。

该成果以“12-inch growth of uniform MoS₂ monolayer for integrated circuit manufacture” 为题于2023.9.28在国际期刊 Nature Materials上发表。